本文作者:访客

三星Galaxy S26 Ultra保留S Pen插槽,R角设计更圆润曝光

访客 2025-09-08 13:02:44 47123
据报道,三星Galaxy S26 Ultra将保留S Pen插槽,并且R角设计更加圆润,这一改进将为用户带来更舒适的手感和便捷的书写体验,作为三星旗舰级手机,Galaxy S26 Ultra的升级亮点不仅在于设计上的改进,还将带来更多创新功能和卓越性能。

今年 1 月,三星对Galaxy S25 Ultra 手机自带的 S Pen 手写笔进行调整,改为无源规格,相应手写笔不支持充电,不支持悬空操作等与蓝牙相关的远程控制功能,且仅适用于 S25 Ultra 手机(不兼容以往机型)。

同时,先前网传有消息称三星 S26 Ultra 手机“没有提供手写笔插槽”,结合 S25 Ultra 手写笔功能“大砍”,有不少人认为 S26 Ultra 手机可能直接取消相应设计。

三星Galaxy S26 Ultra保留S Pen插槽,R角设计更圆润曝光

不过对此传闻,博主@i冰宇宙 发文展示了S26 Ultra手机的最新机模,暗示该机仍将带有 S Pen 手写笔(插槽)。

三星Galaxy S26 Ultra保留S Pen插槽,R角设计更圆润曝光

与此同时,该博主还发文透露:“三星 Galaxy S26 Ultra 接近官方的渲染图,屏幕略变大,边框变化幅度不是很大,R角稍变圆。”

三星Galaxy S26 Ultra保留S Pen插槽,R角设计更圆润曝光

此前爆料显示,三星 Galaxy S26 Ultra延续前代设计语言,同样采用凸起相机模组,内含三颗明显突出的传感器,底部为矩形潜望长焦。激光对焦模块与第四颗摄像头位于右侧,中间为闪光灯。

新机边缘比 S25 Ultra 更为圆润,尺寸为 163.4×77.9×7.8mm,配备 6.9 英寸 AMOLED 屏,搭载第三代抗反射玻璃,后置2 亿像素主摄(大光圈)+ 5000 万像素潜望摄像头(大光圈)+ 5000 万像素超广角 + 1200 万像素升级长焦;搭载高通骁龙 8 Elite Gen 5 芯片(3nm)芯片,最高 16GB 内存、1TB 存储空间,内置 5000mAh 电池,支持 60W 快充、Qi2 无线磁吸充电,运行One UI 8.0 系统。

三星Galaxy S26 Ultra保留S Pen插槽,R角设计更圆润曝光

除了Ultra版本,三星 Galaxy S26系列还将带来Pro和Edge两款新机。

其中,三星 Galaxy S26 Pro将取代标准版 S26,最大变化是采用了凸起的相机模组,类似 Galaxy Z Fold7 的设计,内置三颗镜头并配有金属环。与此前 S25 的纯平背盖 + 凸出镜头不同,S26 Pro 的整个模组均有所抬高。

机身厚度6.7mm,配备6.27 英寸屏幕(边框更薄),支持120Hz 刷新率,后置5000 万像素主摄像头 + 1200 万像素超广角 + 1000 万像素长焦摄像头;搭载高通骁龙 8 Elite Gen 5 芯片(3nm),或Exynos 2600(2nm)芯片,最高 12GB 内存、512GB 存储,内置4300 mAh 电池,支持45W有线充电、Qi2 无线磁吸充电,运行One UI 8.0 系统。

三星Galaxy S26 Ultra保留S Pen插槽,R角设计更圆润曝光

三星 Galaxy S26 Edge将替代 Plus 机型,成为 Galaxy S26 系列的主要成员。设计方面,Galaxy S26 Edge 将配备一个巨大的摄像头条,横跨手机的整个宽度,摄像头栏的左侧是两个摄像头传感器和 LED 闪光灯。

机身尺寸为 158.4×75.7×5.5 毫米(摄像头凸起部分增至 10.8 毫米),配备6.7 英寸 AMOLED 屏幕,支持120Hz 刷新率,后置2 亿像素主摄像头 + 1200 万像素超广角摄像头;搭载高通骁龙 8 Elite Gen 5 芯片(3nm),最高 12GB 内存、512GB 存储空间,内置4300 mAh 电池,支持Qi2 无线磁吸充电。

三星Galaxy S26 Ultra保留S Pen插槽,R角设计更圆润曝光

上述新机预计将在2026年1月发布,大家可以保持关注。

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作者:访客本文地址:https://nnobu.com/nnobu/2683.html发布于 2025-09-08 13:02:44
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